收藏本站
IXTA70N085T
IXTP70N085T
80
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
85
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
75
70
R G = 10 Ω
V GS = 10V
80
75
R G = 10 Ω
V GS = 10V
65
V DS =42V
70
V DS = 42V
T J = 25oC
60
55
50
45
65
60
55
50
45
40
35
I D = 30A
40
35
30
25
20
I D = 10A
30
25
20
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
100
35
48
68
90
80
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 42V
33
31
47
46
45
t f t d(off) - - - -
R G = 10 Ω , V GS = 10V
V DS = 42V
I D = 10A
65
62
59
70
29
44
56
60
50
40
I D = 30A
I D = 10A
27
25
23
43
42
41
I D = 30A
53
50
47
40
44
30
20
21
19
39
38
41
38
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
48
74
120
190
47
t f t d(off) - - - -
R G = 10 Ω , V GS = 10V
70
110
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
170
46
V DS = 42V
66
100
V DS = 42V
I D = 10A
150
45
T J = 125oC
62
44
58
90
130
43
42
54
50
80
70
I D = 30A
110
90
41
46
60
70
40
T J = 25oC
42
39
38
38
34
50
40
50
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_70N085T (2V) 7-10-06.xls
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTP7N60PM MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
IXTP7N60P MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
IXTP8N50PM MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
IXTP8N50P MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
IXTQ102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
IXTQ110N055P MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
IXTQ140N10P MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
IXTQ14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTP72N20T 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP74N15T 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP75N10P 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP76N075T 功能描述:MOSFET MOSFET Id76 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP76N25T 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP76P10T 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP7N45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
IXTP7N45A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB